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申请/专利权人：杭州电子科技大学
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222945A
主分类号：C22C45/00
分类号：C22C45/00;C22C1/11;C22C1/02;H01F1/01;H01F41/00;C09K5/14
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。高熵非晶磁制冷材料分子式为GdaMbM’cTdT’e，a、b、c、d、e为原子百分含量，22≤a≤28，10≤b，c≤30，10≤d，e≤25，a+b+c+d+e＝100；其中M、M’均为Fe、Co、Ni、Cu、Zn中的一种，并且M与M’不相同；T、T’均为B、C、Al、Si中的一种，并且T与T’不相同。Gd元素的质量百分比低于30％。高熵非晶磁制冷材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.1JkgK～15.6JkgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为14.2JkgK～19.5JkgK；磁转变温度为20K～40K。本发明采用上述低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的高熵非晶合金磁熵变低，成本高的问题。
主权项：1.一种低稀土含量高熵非晶磁制冷材料，其特征在于：其分子式为GdaMbM’cTdT’e，a、b、c、d、e分别为Gd、M、M’、T、T’的原子百分含量，22≤a≤28，10≤b，c≤30，10≤d，e≤25，a+b+c+d+e＝100；其中M、M’均为Fe、Co、Ni、Cu、Zn中的一种，并且M与M’不相同；T、T’均为B、C、Al、Si中的一种，并且T与T’不相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州电子科技大学 一种低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用
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