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申请/专利权人：上海合晶硅材料股份有限公司
申请日：2024-04-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118219172A
主分类号：B24B37/34
分类号：B24B37/34;B24B55/03;B24B55/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种新型晶片有蜡抛光卸片用装置，包括纯水冷却系统、纯水过滤系统、喷淋管路、用于晶片CMP加工的陶瓷盘、以及用于将晶片从陶瓷盘上取下的卸片刀，所述纯水冷却系统、纯水过滤系统、喷淋管路依次连通，所述纯水冷却系统包括用于将超纯水从室温冷却至低温的冷却桶，本发明有蜡抛光后卸片破片率大幅度降低：厚度小于1mm衬底晶片卸片碎片几率改善为0％，厚度小于0.5mm衬底晶片卸片碎片几率改善为接近0％；一组卸片装置满足至少两条抛光线一条抛光线每月生产五万片晶片，每一片晶片在CMP时对应的原物料成本下降1‑5元，进而一组卸片装置每月可节约至少十万元；CMP后的晶片的几何形貌塌边制程能力稳定在400‑600nm，有利于晶片在光刻工序时对焦。
主权项：1.一种新型晶片有蜡抛光卸片用装置，其特征在于：包括纯水冷却系统、纯水过滤系统、喷淋管路、用于晶片CMP加工的陶瓷盘、以及用于将晶片从陶瓷盘上取下的卸片刀，所述纯水冷却系统、纯水过滤系统、喷淋管路依次连通，所述纯水冷却系统包括用于将超纯水从室温冷却至低温的冷却桶，所述冷却桶的内部安装有流通冷却水的盘管，所述纯水过滤系统采用树脂混床过滤装置，所述陶瓷盘上通过重度结晶固化的蜡层沾附有CMP加工完成后的晶片，所述卸片刀用于劈开蜡层将晶片从陶瓷盘上剥离，所述喷淋管路末端的喷头与晶片对齐设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海合晶硅材料股份有限公司 一种新型晶片有蜡抛光卸片用装置
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