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申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日：2022-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231442A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/747;H01L21/332
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及高功率开关保护器件，具体涉及一种半导体器件装置、结构及其相关联的方法。该装置包括半导体器件的击穿区的击穿区结构。击穿区结构包括主干、配置成从主干向外延伸的一个或多个突起、配置成使用一个或多个突起形成的一个或多个入口。包括主干、突起和入口的击穿区结构被定位在半导体器件的击穿区内的预定位置处。该装置还包括被配置为填充半导体器件的击穿区的填充材料。
主权项：1.一种装置，包括：半导体器件的击穿区的击穿区结构，所述击穿区结构包括：主干；一个或多个突起，其被配置为从所述主干向外延伸；一个或多个入口，其被配置为使用所述一个或多个突起形成；其中，包括所述主干、所述突起和所述入口的所述击穿区结构被配置为定位在所述半导体器件的所述击穿区内的预定位置处；以及填充材料，其被配置为填充所述半导体器件的所述击穿区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 高功率开关保护器件
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皖公网安备 34010402703815号