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申请/专利权人：黄云辉;张国华
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231636A
主分类号：H01M4/505
分类号：H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种低表面残碱的层状氧化物正极材料及其制备方法和应用，属于二次电池技术领域，低表面残碱的层状氧化物正极材料的制备方法包括以下步骤：将有机酸加入N‑甲基吡咯烷酮中得到有机酸溶液；将层状氧化物加入所述有机酸溶液中，搅拌使层状氧化物表面的残碱与有机酸充分反应，得到初级浆料；将导电剂、粘结剂加入所述初级浆料中，搅拌均匀后即可得到低表面残碱的层状氧化物正极材料。本发明在浆料制备过程中加入有机酸，有机酸能够与层状氧化物表面的残碱充分反应，从而降低残碱含量，同时有机酸与残碱反应转化为锂盐或钠盐，可以作为补锂添加剂或补钠添加剂，进一步提高正极材料的电化学性能。
主权项：1.低表面残碱的层状氧化物正极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将有机酸加入N-甲基吡咯烷酮中得到有机酸溶液；将层状氧化物加入所述有机酸溶液中，搅拌使层状氧化物表面的残碱与有机酸充分反应，得到初级浆料；将导电剂、粘结剂加入所述初级浆料中，搅拌均匀后即可得到低表面残碱的层状氧化物正极材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 黄云辉;张国华 低表面残碱的层状氧化物正极材料及其制备方法和应用
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