龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：香港城市大学
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118228785A
主分类号：G06N3/063
分类号：G06N3/063;G06N3/0442;G06N3/048;G06F15/78;G11C11/41
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种使用基于静态随机存取存储器SRAM的存内计算来进行非线性函数逼近的方法。所述方法包括向SRAM计算器发送包括输入向量的对象数据；根据输入向量和第一权重向量在SRAM突触的位线上生成位线电压；将位线电压输入到对应生成输出函数的斜坡ADC中；根据所述函数获得2n个斜坡电压、相应的可变步长和分别对应可变步长的步进方向。根据可变步长和步进方向初始化SRAM突触、斜坡方向寄存器和斜坡步进寄存器；并根据斜坡方向寄存器中的数据执行步进操作，将数据写入SRAM突触，并通过感应放大器SA获得与所写入数据对应的输出的多个位值。
主权项：1.一种计算机实现的方法，用于通过电子设备使用基于静态随机存取存储器SRAM的存内计算进行非线性函数逼近，其中所述电子设备包括SRAM计算器和处理器，所述方法包括：由所述处理器，向所述SRAM计算器发送包括输入向量的对象数据，其中所述SRAM计算器包括存储器阵列，其中所述存储器阵列的每一列包括SRAM突触、斜坡模数转换器ADC、ADC控制器和感应放大器SA；由所述SRAM突触，根据所述输入向量和第一权重向量，通过实施多位字转模拟电压Convertmulti-bitwordtoAnalogVoltage，COMBA方法，在所述SRAM计算器的位线上产生位线电压Vz；由所述SRAM突触，将所述位线电压Vz输入到对应函数的所述斜坡ADC中以生成输出，其中所述输出包括作为斜坡ADC输出的2n位温度计码，其中所述斜坡ADC是由SRAM位单元bitcells组成；由所述斜坡ADC，根据所述函数获得2n个斜坡电压Vramp、相应的可变步长和对应所述可变步长的步进方向；由所述ADC控制器，根据所述可变步长和所述步进方向初始化所述斜坡ADC、斜坡方向寄存器和斜坡步进寄存器，并通过所述SA获得所述输出的第一个位值；以及由所述ADC控制器执行多个步进操作，根据所述斜坡方向寄存器中的数据向所述斜坡ADC写入数据，并通过所述SA获得与所述写入数据相对应的所述输出的多个位值，其中所述位值用于非线性函数逼近。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港城市大学 使用基于静态随机存取存储器的存内计算来进行非线性函数逼近的方法和电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号