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申请/专利权人：意法半导体国际公司
申请日：2023-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234232A
主分类号：H10B41/35
分类号：H10B41/35
优先权：["20221221 FR 2214170","20231214 US 18/540,482"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种电子电路包括晶体管单元，该晶体管单元具有布置在半导体衬底内部和顶部的多个晶体管。每个晶体管具有有源区。第一绝缘区域至少部分地位于晶体管周围，并向下延伸到半导体衬底中的第一深度。第二绝缘区域被定位成使有源区和晶体管彼此绝缘。第二绝缘区域向下延伸至半导体衬底中的第二深度，该第二深度大于第一深度。
主权项：1.一种电子电路，包括至少一个晶体管单元，其中所述至少一个晶体管单元包括：多个晶体管，布置在半导体衬底的内部和顶部，所述多个晶体管中的每个晶体管包括有源区；第一绝缘区域，至少部分地位于所述多个晶体管中的每个晶体管周围并且向下延伸至所述半导体衬底中的第一深度；第二绝缘区域，被定位成使所述多个晶体管中的所述晶体管的所述有源区彼此绝缘，每个第二绝缘区域从所述第一绝缘区域的底部向下延伸到所述半导体衬底中的第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 包括晶体管单元的电子电路
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