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具有吸波器与薄膜晶体管复合结构的光电探测器件及方法 

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申请/专利权人:深圳大学

摘要:本发明实施例提供了一种具有吸波器与薄膜晶体管复合结构的光电探测器件及方法,该光电探测器件包括:衬底层、栅极层、绝缘层及有源层由下至上依次排布设置,顶金属层及源漏电极层均设置在有源层的上端面,源漏电极层由两个电极构成,顶金属层包括多个顶金属,多个顶金属呈阵列式排布设置在两个电极之间;栅极层的设置厚度至少为50nm,绝缘层的设置厚度至少为30nm,所述有源层的设置厚度至少为20nm;顶金属均包括由下至上依次设置的第一金属层及第二金属层,第一金属层设置在有源层的上端面;电极均包括由下至上依次设置的第一电极层及第二电极层,第一电极层设置在有源层的上端面。本发明实施例可实现可控的增强光吸收和宽带光探测。

主权项:1.一种具有吸波器与薄膜晶体管复合结构的光电探测器件,其特征在于,所述光电探测器件包括:衬底层、栅极层、绝缘层、有源层、顶金属层及源漏电极层;所述衬底层、所述栅极层、所述绝缘层及所述有源层由下至上依次排布设置,所述顶金属层及所述源漏电极层均设置在所述有源层的上端面,所述源漏电极层由两个电极构成,所述顶金属层包括多个顶金属,多个所述顶金属呈阵列式排布设置在两个所述电极之间;所述栅极层的设置厚度至少为50nm,所述绝缘层的设置厚度至少为30nm,所述有源层的设置厚度至少为20nm;所述顶金属均包括由下至上依次设置的第一金属层及第二金属层,所述第一金属层设置在所述有源层的上端面;所述电极均包括由下至上依次设置的第一电极层及第二电极层,所述第一电极层设置在所述有源层的上端面。

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权利要求:

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