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申请/专利权人：崇辉半导体(江门)有限公司
申请日：2022-11-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN115863181B
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;H01L21/67;H01L21/687
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.04.14#实质审查的生效;2023.03.28#公开
摘要：本发明涉及一种半导体引线框架的选择性粗化设备及其粗化方法，粗化设备包括喷淋装置、上模板和下模板，上模板和下模板用于夹紧引线框架，下模板上设有镂空孔，用于露出引线框架的待粗化区，喷淋装置用于将粗化药水喷淋在引线框架的待粗化区。上模板和下模板夹紧引线框架，实现对引线框架的边缘密封，在下模板上开设镂空孔，喷淋装置可以将粗化药水喷淋在引线框架的待粗化区，实现局部粗化，其它区域由于被上模板和下模板密封，与粗化药水相隔绝，不会被粗化。选择性粗化方案在提高功能区和封装树脂结合力的同时，避免非功能区的溢胶难以去除，且减少处理面积能降低粗化药水的消耗，另外还具有工艺稳定、良品率高、成本低的优点。
主权项：1.一种半导体引线框架的选择性粗化设备，用于对引线框架100进行局部粗化，其特征在于，包括喷淋装置10、上模板20和下模板30，所述上模板20和下模板30用于夹紧引线框架100，所述下模板30上设有镂空孔31，用于露出引线框架100的待粗化区101，所述喷淋装置10用于从下向上将粗化药水喷淋在引线框架100的待粗化区101；所述喷淋装置10从下到上依次包括底板11、槽胆12、喷嘴板13和多个喷嘴14，所述底板11、槽胆12和喷嘴板13围成蓄水腔，所述喷嘴14阵列地设置在喷嘴板13上，所述下模板30设置在槽胆12上，所述底板11上设有进水口111，所述槽胆12上设有引流槽121，用于将喷嘴14喷出的粗化药水引流至槽胆12外；所述喷淋装置10从下到上依次还包括一级稳流水胆15、一级挡水板16、二级稳流水胆17和二级挡水板18，所述一级挡水板16和二级挡水板18上均阵列设有多个溢流孔161、181，所述一级挡水板16设置在一级稳流水胆15上，所述二级挡水板18设置在二级稳流水胆17上，所述一级稳流水胆15、二级稳流水胆17设置在底板11和槽胆12之间，所述一级挡水板16上设有挡水区162，所述挡水区162与底板11的进水口111位置相对应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 崇辉半导体(江门)有限公司 一种半导体引线框架的选择性粗化设备及其粗化方法
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