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申请/专利权人：南京数捷电子科技有限公司
申请日：2023-08-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117117506B
主分类号：H01Q15/00
分类号：H01Q15/00;H01Q15/24;H01Q3/26;H01Q5/10;H01Q5/314;G02F1/015
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开
摘要：本申请涉及超材料以及电磁功能器件，公开了一种电控双频段与极化转换双功能智能超表面，提供了一种结构简单、易加工、损耗小的双频段相移可调控并且实现极化转换幅度调制的阵列。该智能超表面包括：金属底板、介质基板和相移结构层；相移结构层包括以M×N正交阵列方式设置的多个相移单元；相移单元包括圆形开口谐振圆环和HEMT晶体管，谐振圆环45度方向的开口将谐振圆环分割为上、下两个半圆环；HEMT晶体管嵌入在谐振圆环的开口处，开口两侧分别连接HEMT晶体管的源极和漏极；两个半圆环通过阴极引出线连接至阴极总线，HEMT晶体管的栅极通过阳极引出线连接至所在列的列阳极总线。
主权项：1.一种电控双频段与极化转换双功能智能超表面，其特征在于，包括：自下而上逐层设置的金属底板1、介质基板2和相移结构层3；所述相移结构层3包括以M×N正交阵列方式设置的多个相移单元；每个相移单元包括一个圆形开口谐振圆环4和HEMT晶体管；所述谐振圆环的开口在圆环上沿垂直方向顺时针45度旋转方向，将所述谐振圆环分割为上、下两个半圆环；所有的M×N个相移单元开口的旋转方向一致；所述HEMT晶体管嵌入在所述谐振圆环的开口处，开口两侧分别连接所述HEMT晶体管的源极和漏极，其中M和N都为大于2的整数；在相移单元阵列中，每个所述相移单元的两个半圆环通过阴极引出线5连接至阴极总线6，每个所述相移单元的HEMT晶体管的栅极通过阳极引出线7连接至所在列的列阳极总线8，每一列相移单元皆位于对应于该列的所述阴极引出线和所述阳极引出线之间；各列的阴极总线6电连接在一起，各列的阳极总线8彼此独立。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京数捷电子科技有限公司 电控双频段与极化转换双功能智能超表面
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