申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-05-29

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN116526162B

主分类号：H01Q21/06

分类号：H01Q21/06;H01Q13/08;H01Q3/30;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/36;H01Q1/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开

摘要：本发明公开了一种双通道双线极化2比特阵列天线，由m×n个双通道双线极化2比特天线单元组成，其中m代表行，n代表列。每个天线单元的从上至下依次为微带振子辐射结构、直流偏置结构、金属地板、级联移相器、金属地板，其中微带振子辐射结构和直流偏置结构分别位于上层介质基板的上下表面，金属地板、级联移相器和金属地板形成带状线结构。在水平极化馈电端口和垂直极化馈电端口的激励下，通过改变微带振子辐射结构上集成的开关二极管和级联移相器上集成的开关二极管，使得单元的辐射电磁波的相位分别呈现0°、90°、180°和270°四种不同的电磁响应。因此，改变不同的馈电端口激励，在不同的相位补偿状态下，电磁波实现不同极化波束的扫描。

主权项：1.一种双通道双线极化2比特阵列天线，其特征在于：包括m×n个双通道双线极化2比特天线单元1，其中m代表行，n代表列，每个天线单元1的从上至下依次为微带振子辐射结构2、直流偏置结构4、第一金属地板5、级联移相器6、第二金属地板7，其中微带振子辐射结构2和直流偏置结构4分别位于上层介质基板的上下表面，第一金属地板5、级联移相器6和第二金属地板7形成带状线结构，级联移相器6和微带振子辐射结构2通过金属化过孔10连接，在天线的层叠结构中，直流偏置结构4与第一金属地板5之间采用厚度为0.101mm的介质板进行隔离；微带振子辐射结构2采用正交放置的形式，沿x方向放置的天线辐射水平极化电磁波，沿y方向放置的天线辐射水平极化电磁波，其中x方向为阵列天线的水平方向，y方向为阵列天线的垂直方向，水平极化馈电端口9-1和垂直极化馈电端口9-2两个通道对应不同的极化形式，辐射结构的馈电点位于振子中心，在振子末端放置了两个反向并联的开关二极管3等效改变振子的谐振边长度，通过改变微带振子辐射结构2上集成的开关二极管3和级联移相器6上集成的开关二极管8，使得单元的辐射电磁波的相位分别呈现0°、90°、180°和270°四种不同的电磁响应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种双通道双线极化2比特阵列天线

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