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【发明授权】基于单光楔的自发参量下转换过程折射偏离角抑制方法_北京航空航天大学_202210471936.7 

申请/专利权人:北京航空航天大学

申请日:2022-04-29

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN114815439B

主分类号:G02F1/35

分类号:G02F1/35;H01S3/108

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要:本发明涉及一种基于单光楔的自发参量下转换过程折射偏离角抑制方法,在自发参量下转换过程中,为抑制泵浦光入射非线性晶体之后折射偏离角,在非线性晶体前加入单光楔结构,方法为:S1:确定纠缠光o光和e光的波长分别为λo、λe,确定泵浦光的波长λp,以及非线性晶体的材料、尺寸;再根据相位匹配的方式确定晶体切割角θ;S2:当纠缠光在非线性晶体中的折射偏离角为0时,推导出入射角需要满足的关系式;S3:根据单光楔材料确定其折射率n,结合所述入射角关系式,计算得出单光楔的楔角αc大小。本发明能够减小由于双折射效应发生偏转而带来的影响,准确性较高。

主权项:1.一种基于单光楔的自发参量下转换过程折射偏离角抑制方法,其特征在于,在自发参量下转换过程中,为抑制泵浦光入射非线性晶体之后折射偏离角的产生,在非线性晶体前加入合适的单光楔结构,具体方法如下:S1:根据实际需求确定纠缠光o光和e光的波长分别为λo、λe,进而确定所需泵浦光的波长λp,以及所需非线性晶体的材料、尺寸;再根据相位匹配的方式确定所需非线性晶体的晶体切割角θ,其中,所述晶体切割角θ为非线性晶体的光轴方向与水平方向之间的夹角;S2:在所述非线性晶体前加入一个单光楔,当泵浦光在所述非线性晶体中的折射偏离角为0时,推导出泵浦光在所示非线性晶体前表面的入射角需要满足的关系式,其中,所述折射偏离角是指泵浦光在所述非线性晶体中发生折射后,所述泵浦光在所述非线性晶体中的传播方向与水平方向之间的夹角;S3:选取单光楔的材料,根据所述单光楔材料确定其折射率n,结合所述入射角关系式,计算得出所述单光楔的楔角αc的大小,进而得到满足需求的合适的所述单光楔结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京航空航天大学 基于单光楔的自发参量下转换过程折射偏离角抑制方法

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