申请/专利权人：迪热克塔普拉斯股份公司

申请日：2019-12-18

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN113196888B

主分类号：H05H1/46

分类号：H05H1/46;H05H1/30

优先权：["20181219 IT 102018000020206"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2021.10.15#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：一种用于利用等离子体处理材料的设备，该设备包括微波发生器15、波导20和管状炬30，管状炬30包括三个同轴的管33、35、37和借助于具有腔52的本体50连接至波导20的中央部段30.2，所述管穿过腔52。等离子体容纳室被限定在本体50的腔52处的外管35中。

主权项：1.一种用于利用等离子体处理材料的设备，所述设备包括微波发生器15、波导20和管状的炬30，管状的所述炬30包括上游部段30.1、中央部段30.2、下游部段30.3以及同轴布置的至少一个内管33、中间管35和外管37，所述内管33、所述中间管35和所述外管37各自具有上游端部和下游端部，其中，所述外管37从所述上游部段30.1至少延伸至所述炬30的所述中央部段30.2并且在所述炬30的所述中央部段30.2中限定有等离子体容纳室51；其特征在于：-所述炬30的纵向轴线Z与在所述波导20中操作性地产生的电场对准；-所述炬30的所述内管33、所述中间管35和所述外管37在其上游端部处借助于所述炬30的所述上游部段30.1中的固定及定心装置单独地以可移除的方式进行安装；-所述波导20连接至所述微波发生器15和所述炬30的所述中央部段30.2的中空本体50，所述中空本体50具有腔52，在所述腔52中限定了上游侧部54和下游侧部56，所述上游侧部54和所述下游侧部56各自设置有用于容置所述炬的所述外管37的圆形孔，所述等离子体容纳室51被限定在所述外管37中；-所述中间管35的所述下游端部与所述中空本体50的所述腔52的所述上游侧部54对准或延伸超出所述腔52的所述上游侧部54一部分；-所述内管33的所述下游端部与所述中间管35的所述下游端部对准或布置在所述中间管35的所述下游端部的上游；-所述炬30的所述下游部段30.3包括限定在所述等离子体容纳室51的下游的所述外管37中的二次处理区，所述二次处理区终止于排出开口70，由此，待处理的所述材料被操作性地引入到所述内管33中，并且所述等离子体由引入到所述中间管35中并且经受由所述微波产生的电磁场的气体在所述等离子体容纳室51中形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 迪热克塔普拉斯股份公司 用于利用等离子体处理材料的设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD