申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2021-04-16

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN113192866B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/305;H01J37/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：本发明公开了一种半导体工艺配方中工艺参数值的匹配方法及半导体工艺设备，方法包括：S1、选取特定工艺步骤涉及的第一、第二工艺参数，将第一、第二工艺参数值分别设置为第一、第二初始值；S2、判断基于当前第一、第二工艺参数值是否可以执行特定工艺步骤，若是则执行步骤S3，若否则执行步骤S4；按照第一预设规则调整第一工艺参数值并使第二工艺参数值保持不变，返回步骤S2；记录当前第一、第二工艺参数值；S5、将第一参数值设置为第一初始值，并按照第二预设规则调整第二工艺参数值；S6、判断第二工艺参数值是否达到了预设的第二阈值，若否则返回步骤S2，若是则绘制出工艺参数值匹配曲线。实现自动快速给出满足特定工艺步骤的工艺配方的参数值。

主权项：1.一种半导体工艺配方中工艺参数值的匹配方法，其特征在于，所述方法包括：S1、选取所述半导体工艺配方中特定工艺步骤涉及的第一工艺参数和第二工艺参数，将所述第一工艺参数的值设置为第一初始值，将所述第二工艺参数的值设置为的第二初始值；其中，所述特定工艺步骤为深硅刻蚀工艺中ICP刻蚀设备的启辉步骤，所述第一工艺参数为上电极加载功率，所述第二工艺参数为腔压，或者，所述特定工艺步骤为深硅刻蚀工艺中ICP刻蚀设备的腔压控制步骤，所述第一工艺参数为进气流量，所述第二工艺参数为腔压；S2、判断基于当前所述第一工艺参数和所述第二工艺参数的值，是否可以执行所述特定工艺步骤，若是，则执行步骤S3，若否，则执行步骤S4；S3、按照第一预设规则调整所述第一工艺参数的值，并使所述第二工艺参数的设定值保持不变，返回所述步骤S2；S4、记录当前所述第一工艺参数和所述第二工艺参数的值；S5、将所述第一工艺参数的值设置为所述第一初始值，并按照第二预设规则调整所述第二工艺参数的值；S6、判断所述第二工艺参数的值是否达到了预设的第二阈值，若否，则返回所述步骤S2，若是，则基于记录的所有所述第一工艺参数和所述第二工艺参数的值绘制出所述第一工艺参数和所述第二工艺参数对应的工艺参数值匹配曲线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺配方中工艺参数值匹配方法及半导体工艺设备

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