申请/专利权人：有研工程技术研究院有限公司;中国有研科技集团有限公司

申请日：2019-12-05

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN112927758B

主分类号：G16C10/00

分类号：G16C10/00;G16C60/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2023.04.04#专利权人的姓名或者名称、地址的变更;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明公开了一种快速有效的异质界面建模方法，从文献数据库中检索所需的异质界面相关信息，依据文献信息确定两种材料的接触面取向关系或基于材料模拟软件选择可能的接触面取向，计算两种材料的晶格匹配度并完成接触面的晶格匹配，然后根据原子分布和界面成键特点合理地选择两种异质材料接触面各自的原子层，并相对平移两个接触表面达到较优的界面原子分布，接着设置并优化的两种接触面的面间距即可完成异质界面模型的初步建立，最后通过材料模拟软件的优化获得稳定合理的异质界面。通过该方法，可以迅速有效地建立复杂的异质界面模型，为异质界面性能的研究提供技术保障，具有很强的实用价值。

主权项：1.一种快速有效的异质界面建模方法，其特征在于，包括以下步骤：1获取异质界面结构信息：从文献数据库中检索需要研究的异质界面，若存在，依据文献信息确定两种材料的接触面取向关系，若不存在，借助材料模拟软件分别选择可能的接触面取向，然后计算两种材料的晶格匹配度，并调节接触面的晶格常数大小完成晶格匹配；选择的异质界面需满足错位度不超过10％；对于材料A和材料B的异质界面AB，两种材料接触面原始晶格常数大小分别为a和b，则接触面的晶格常数最终调整为a，b或者a+b2；2选择两种异质材料接触面上各自的原子层：根据原子分布和界面成键特点合理地选择两种异质材料接触面上各自的原子层，并相对平移两个接触表面达到较优的界面原子分布；3设置合理的面间距：结合实验和两种材料的各自的面间距数据，设置并优化两种接触面的面间距，完成异质界面模型的初步建立；需根据原子分布和界面成键特点合理地选择两种异质材料接触面上各自的原子层，若材料A表面的阳离子与材料B表面的阴离子容易成键，需设置含有这两种原子的表面为接触面，并通过相对平移调整两种原子到合理的成键距离；面间距d设为材料A和材料B面间距的平均值dA+dB2，或者dA和dB之间的数值，在原子位置优化过程中面间距会发生调整；4获取稳定合理的异质界面结构：将初步建立的异质界面结构输入到材料模拟软件，通过优化原子位置获得稳定合理的异质界面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 有研工程技术研究院有限公司;中国有研科技集团有限公司 一种快速有效的异质界面建模方法

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