龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：山东师范大学
申请日：2021-07-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113675292B
主分类号：H01L31/109
分类号：H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要：本公开提供了一种异质结红外光电传感器及其制备方法，采用基于CuSnSeGeIn‑Ga的异质结的光电传感器；将SnSeGe的异质结作为光吸收活性层，在SnSeGe的异质结的界面处形成电场；将Cu的微栅格结构作为顶电极，与SnSe的晶体薄膜形成欧姆接触；将In‑Ga合金或In的晶体薄膜作为底电极，与Ge的晶体基片形成欧姆接触。在红外光的照射下实现红外光学信号到电学信号的转换，实现对红外光的快速识别，同时，能够感知微弱的光信号，解决目前红外传感器件普遍存在的较小光电流和较大暗电流的难题，进而提高了红外传感器识别的灵敏度和探测度。
主权项：1.一种异质结红外光电传感器，其特征在于，采用基于CuSnSeGeIn-Ga的异质结的光电传感器；将SnSeGe的异质结作为光吸收活性层，在SnSeGe的异质结的界面处形成电场；将Cu的微栅格结构作为顶电极，与SnSe的晶体薄膜形成欧姆接触；将In-Ga合金的晶体薄膜作为底电极，与Ge的晶体基片形成欧姆接触；具体的，所述SnSe的晶体薄膜厚度设置为50-90nm，电阻率设置为2.20×103Ω·cm，电导类型设置为P型；所述Ge的晶体基片厚度设置为100-200μm，电阻率设置为1.0-5.0Ω·cm，电导类型设置为N型；所述顶电极的厚度设置为60-100nm，结构设置为鱼骨状结构，线宽设置为100μm，线长设置为4.8mm，间隔设置为500μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东师范大学 一种异质结红外光电传感器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号