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【实用新型】一种CVD工艺腔反应气体分布流场的装置_苏州耀德半导体有限公司_202323169681.8 

申请/专利权人:苏州耀德半导体有限公司

申请日:2023-11-23

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN221192321U

主分类号:C23C16/455

分类号:C23C16/455;C23C16/52

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权

摘要:本实用新型公开了一种CVD工艺腔反应气体分布流场的装置,涉及气体分布设备领域,包括淋喷头,所述淋喷头内设置有内圈分气盘和外圈分气盘,所述外圈分气盘位于内圈分气盘的外侧,所述淋喷头的上方设置有顶盖,所述内圈分气盘的上部连接有内圈进气管壁,所述内圈进气管壁内侧设置有内圈进气口,气体经过内圈进气口进入到内圈分气盘内;所述内圈进气管壁和顶盖之间设置有外圈进气口,气体经过外圈进气口进入到外圈分气盘内,通过改变进入到内圈分气盘和外圈分气盘的进气量来调整内圈分气盘和外圈分气盘内的气体流场分布。本申请通过改变进入到内圈分气盘和外圈分气盘内的进气量来调整内外圈的气体流场分布,从而灵活调整硅晶圆片表面的成膜均匀性。

主权项:1.一种CVD工艺腔反应气体分布流场的装置,包括淋喷头1,其特征在于:所述淋喷头1内设置有内圈分气盘2和外圈分气盘3,所述外圈分气盘3位于内圈分气盘2的外侧,所述淋喷头1的上方设置有顶盖4,所述内圈分气盘2的上部连接有内圈进气管壁5,所述内圈进气管壁5内侧设置有内圈进气口6,气体经过内圈进气口6进入到内圈分气盘2内;所述内圈进气管壁5和顶盖4之间设置有外圈进气口7,气体经过外圈进气口7进入到外圈分气盘3内,通过改变进入到内圈分气盘2和外圈分气盘3的进气量来调整内圈分气盘和外圈分气盘内的气体流场分布。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州耀德半导体有限公司 一种CVD工艺腔反应气体分布流场的装置

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