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申请/专利权人：武汉优炜芯科技有限公司
申请日：2024-03-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249206A
主分类号：H01S5/343
分类号：H01S5/343
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种GaN量子阱深紫外激光器，上述GaN量子阱深紫外激光器包括沿生长方向依次层叠设置的AlN模板层、n‑型下包覆层、u‑型下波导层、量子阱有源层、u‑型上波导层、u‑型上包覆层、p‑型空穴注入层以及p‑型接触层，量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个势阱层插入在两个相邻的势垒层之间，其中，势阱层为GaN材料，势阱层的厚度为1～2nm；势垒层为AlN材料，势垒层的厚度为1.5～3nm；本发明可以将GaN量子阱的有效带隙拓宽数个电子伏eV，进而实现波长短至深紫外波段的发光；同时，GaN量子阱的能带结构特性可以实现TE模式主导的偏振发光，进一步提高了GaN量子阱深紫外激光器的发光效率。
主权项：1.一种GaN量子阱深紫外激光器，其特征在于，包括沿生长方向依次层叠设置的AlN模板层、n-型下包覆层、u-型下波导层、量子阱有源层、u-型上波导层、u-型上包覆层、p-型空穴注入层以及p-型接触层，所述量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个所述势阱层插入在两个相邻的所述势垒层之间；其中，所述势阱层为GaN材料，所述势阱层的厚度为1～2nm；所述势垒层为AlN材料，所述势垒层的厚度为1.5～3nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉优炜芯科技有限公司 一种GaN量子阱深紫外激光器
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