龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：湖南蓝芯微电子科技有限公司
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248804A
主分类号：H01L33/14
分类号：H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种高效多量子阱发光二极管外延片及其制备方法。本发明包括外延结构，外延结构的复合电子阻挡层，包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、BInGaN和InGaN的超晶格结构、第二AlN层、第二AlGaN层；宽禁带的AlN、AlGaN材料起到阻挡电子并降低电子移动速率的作用，防止电子注入到P型材料造成电子泄漏。低禁带宽度的BInGaN、InGaN材料可以储存部分空穴，同时还可以减弱对空穴的阻挡作用，以提高P型材料的空穴注入效率，从而改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，以提高LED的发光效率。
主权项：1.一种高效多量子阱发光二极管外延片，其特征在于，包括外延结构，外延结构包括衬底1及依次沉积在所述衬底1上的N型半导体层2、低温应力释放层3、多量子阱发光层4、复合电子阻挡层5、P型半导体层6和P型欧姆接触层7，其中：复合电子阻挡层5，包括依次层叠的第一AlGaN层51、第一AlN层52、BInGaN和InGaN的超晶格结构、第二AlN层55、第二AlGaN层56；第一AlGaN层51，Al组分占比为0.3~0.7，厚度为4nm~15nm；第一AlN层52，厚度为4nm~15nm；BInGaN和InGaN的超晶格结构，周期数为3～10,总厚度为5～10nm，其中：单层BInGaN层53的厚度为0.5nm～1nm，B组分占比不变为0.3~0.7，In组分占比为0.02~0.05；单层InGaN层54的厚度为0.5nm～1nm，In组分占比为0.03~0.09；第二AlN层55，厚度为4nm~15nm；第二AlGaN层56，Al组分占比为0.3~0.7，厚度为4nm~15nm；P型半导体层6，为P型GaN基材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南蓝芯微电子科技有限公司 高效多量子阱发光二极管外延片及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号