申请/专利权人:四川和晟达电子科技有限公司;江苏和达电子科技有限公司
申请日:2024-03-25
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118241206A
主分类号:C23F1/14
分类号:C23F1/14
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本发明涉及蚀刻液技术领域IPC分类号为C23F118,更具体的,涉及一种用于MTD‑Cu‑MoNb复合金属膜单剂型蚀刻液组合物。按重量百分比计,组分包括:双氧水10‑25%,螯合剂1‑3%,抑制剂0.01‑1%,蚀刻剂0.01‑4%,双氧水稳定剂0.01‑1%,侧面蚀刻抑制剂0.005‑1%,氟系化合物0.005‑1%,去离子水补足余量。所制备的蚀刻液对包括铜、MTD合金、MoNb合金三层膜具有优秀的蚀刻性能、侧面蚀刻抑制效果、CD‑loss较小且无金属残留。
主权项:1.一种用于MTD-Cu-MoNb复合金属膜单剂型蚀刻液组合物,其特征在于,按重量百分比计,组分包括:双氧水10-25%,螯合剂1-3%,抑制剂0.01-1%,蚀刻剂0.01-4%,双氧水稳定剂0.01-1%,侧面蚀刻抑制剂0.005-1%,氟系化合物0.005-1%,去离子水补足余量。
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权利要求:
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