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申请/专利权人：晶能光电股份有限公司
申请日：2024-05-30
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248820A
主分类号：H01L33/62
分类号：H01L33/62;H01L33/58;H01L33/20;H01L33/00;H01L27/15
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种MicroLED发光阵列及其制备方法，在MicroLED发光阵列中，包括：表面配置有驱动电路的驱动基板、阵列排布于驱动基板上的发光单元、形成于各发光单元中第二半导体层表面的反射结构、通过刻蚀形成于发光单元之间的N型沟槽、导电连接至N型沟槽中第一半导体层的N型金属层，及沿P型通孔导电连接至反射结构的P型金属层、发光单元通过所述N型金属层和P型金属层焊接于驱动基板表面与之匹配的驱动电路上。该发光阵列中主要以N型金属层于N型沟槽内部与第一半导体层侧壁进行欧姆接触，减少了对发光区域的刻蚀，相对增大了有效发光面积，能够有效地缩小发光单元之间的间隔。
主权项：1.一种MicroLED发光阵列，其特征在于，包括：驱动基板，表面配置有驱动电路；阵列排布于驱动基板上的发光单元；各发光单元之间包括第一半导体层，发光单元中包括外延结构，所述外延结构沿驱动基板从下到上依次堆叠有第二半导体层、发光层及第一半导体层；形成于各发光单元中第二半导体层表面的反射结构；及形成于反射结构表面的绝缘层，且各发光单元中的绝缘层中开设有贯穿至反射结构表面的P型通孔；通过刻蚀形成于发光单元之间的N型沟槽，所述N型沟槽中第一半导体层至少被部分刻蚀；导电连接至N型沟槽中第一半导体层的N型金属层，及沿P型通孔导电连接至反射结构的P型金属层，所述发光单元通过所述N型金属层和P型金属层焊接于驱动基板表面与之匹配的驱动电路上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶能光电股份有限公司 一种Micro LED发光阵列及其制备方法
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