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利用图形DDR存储器进行错误引脚训练 

申请/专利权人:超威半导体公司

申请日:2022-10-28

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118251727A

主分类号:G11C29/02

分类号:G11C29/02;G11C29/52

优先权:["20211111 US 63/278,321","20220630 US 17/854,213"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:对接收器进行训练以用于通过数据总线接收信号。通过该数据总线命令易失性存储器将选择的脉冲振幅调制PAM驱动器置于具有指定的稳定输出电平的模式中。在耦接到该选择的PAM驱动器的接收器电路处,使与该指定的稳定输出电平相关联的相应参考电压扫过电压范围,并且将该相应参考电压与从该PAM驱动器接收的电压进行比较,以确定从该PAM驱动器接收的相应电压电平。

主权项:1.一种用于训练接收器的方法,所述方法包括:通过数据总线命令易失性存储器将以至少三个脉冲振幅调制PAM电平操作的选择的PAM驱动器置于具有指定的稳定输出电平的模式中;以及在耦接到所述选择的PAM驱动器的接收器电路处,使与所述指定的稳定输出电平相关联的相应参考电压扫过电压范围,并且将所述相应参考电压与从所述PAM驱动器接收的电压进行比较,以确定从所述PAM驱动器接收的相应电压电平。

全文数据:

权利要求:

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