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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248734A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种双层深沟槽全隔离的N型LDMOS结构，包括P型衬底，在P型衬底的上端部选择性注入形成的NBL层，在P型衬底上端生长形成的P型外延层；在P型外延层上形成的面积小于NBL层的P型离子注入隔离区，P型离子注入隔离区与外延层的顶端和NBL层的顶端均具有间距；延P型离子注入隔离区的边界，在P型外延层上形成的第一深沟槽，第一深沟槽的底端延伸至NBL层上，在第一深沟槽中形成有第一深沟槽隔离结构，第一深沟槽隔离结构用于隔离LDMOS器件中的元胞区以及终端区；延NBL层的边界，在P型外延层及其下方的P型衬底上形成的第二深沟槽。本发明通过改善横向的隔离方式，增大横向击穿电压的同时减少PN结面积和漏电。
主权项：1.一种双层深沟槽全隔离的N型LDMOS结构，其特征在于，包括：P型衬底，在P型衬底的上端部选择性注入形成的NBL层，在P型衬底上端生长形成的P型外延层；在所述P型外延层上形成的面积小于所述NBL层的P型离子注入隔离区，所述P型离子注入隔离区与所述外延层的顶端和所述NBL层的顶端均具有间距；延所述P型离子注入隔离区的边界，在所述P型外延层上形成的第一深沟槽，所述第一深沟槽的底端延伸至所述NBL层上，在所述第一深沟槽中形成有第一深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构用于隔离LDMOS器件中的元胞区以及终端区；延所述NBL层的边界，在所述P型外延层及其下方的所述P型衬底上形成的第二深沟槽，在所述第二深沟槽的表面形成有离子注入保护层，在所述所述第二深沟槽的下方形成有P型轻掺杂区域，在所述第二深沟槽中形成有第二深沟槽隔离结构，所述第二深沟槽隔离结构用于隔离LDMOS器件与其他器件；在所述P型外延层上利用后续工艺形成的全隔离N型LDMOS器件，所述元胞区中的体区和漂移区形成于所述P型离子注入隔离区上方的所述P型外延层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 双层深沟槽全隔离的N型LDMOS结构及其制造方法
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