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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248673A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种金属栅置换质量的检测结构，包括：呈孤立结构的第一PMOS，第一PMOS的第一栅极结构的两侧设置各设置有一个平行的第一邻近栅极结构，第一栅极结构和第一邻近栅极结构的间距采用设计规则所允许的最大栅极间距。第一测试链，两端分别设置有第一和第二衬垫，在第一和第二衬垫之间具有接触孔、第一金属层图形和对应的被测试栅极结构连接形成的串联结构；各第一栅极结构作为一个被测试栅极结构串联在第一测试链上并作为第一测试链的一部分。本发明还公开了一种金属栅置换质量的检测方法。本发明便于通过电学测试就能检测金属栅的置换质量问题，能提高检测效率。
主权项：1.一种金属栅置换质量的检测结构，其特征在于，检测结构包括：至少一个第一PMOS，所述第一PMOS形成于第一有源区中且为孤立PMOS，所述第一PMOS的第一栅极结构的长度方向沿所述第一有源区的宽度方向延伸；在所述第一栅极结构的两侧设置各设置有一个第一邻近栅极结构，各所述第一邻近栅极结构和所述第一栅极结构平行，所述第一栅极结构和对应的所述第一邻近栅极结构的间距采用设计规则所允许的最大栅极间距；第一测试链，两端分别设置有第一衬垫和第二衬垫，在所述第一衬垫和所述第二衬垫之间具有多个接触孔、多个第一金属层图形和对应的被测试栅极结构连接形成的串联结构，各所述被测试栅极结构的两端分别通过对应的所述接触孔连接到顶部对应的所述第一金属层图形；各所述第一金属层图形的两端分别通过对应的所述接触孔连接到底部对应的所述被测试栅极结构；各所述第一栅极结构作为一个所述被测试栅极结构串联在所述第一测试链上并作为所述第一测试链的一部分，所述第一栅极结构作为金属栅置换后金属栅的高度低于目标值的模拟结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 金属栅置换质量的检测结构和方法
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