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申请/专利权人：迈瑞迪创新科技有限公司
申请日：2022-11-16
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251583A
主分类号：G01J5/02
分类号：G01J5/02;G01J5/12;B81C1/00
优先权：["20211116 US 63/279,682"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：公开了一种CMOS‑MEMS集成装置和用于形成这种装置的方法。集成装置包括双释放MEMS红外传感器。双释放MEMS传感器是下传感器腔上方的独立传感器，该下传感器腔被蚀刻到装置的衬底中。独立MEMS传感器没有支撑MEMS传感器的支撑电介质膜，从而导致MEMS传感器悬在下传感器腔上方。通过第二释放过程去除支撑电介质。第二释放过程还可以去除MEMS传感器上方的保护性电介质层。没有保护性电介质层的MEMS传感器增强了传感器灵敏度。在其他情况下，独立MEMS传感器可以包括位于其上方的吸收器。吸收器增强了传感器灵敏度。
主权项：1.一种装置，所述装置包括：衬底，所述衬底包括互补金属氧化物半导体CMOS区域，其中所述CMOS区域包括具有晶体管的晶体管区域，以及微机电系统MEMS区域，其中所述MEMS区域包括下传感器腔，设置在所述下传感器腔上方的独立传感器，其中所述独立传感器在所述传感器和所述下传感器腔之间没有支撑电介质，其中所述独立传感器改善响应时间和传感器灵敏度；设置在所述衬底上的后道工序BEOL电介质，所述电介质具有具有金属前触点的金属前电介质层，以及设置在所述金属前电介质层上方的多个金属间电介质IMD层，其中所述IMD层包括金属层级和通孔层级，所述金属层级包括金属线，并且所述通孔层级包括通孔触点，以经由所述金属前电介质层互连所述装置的部件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 迈瑞迪创新科技有限公司 具有高CMOS集成度的高灵敏度热电基红外探测器
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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