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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241162A
主分类号：C23C14/16
分类号：C23C14/16;C23C14/35;C22C27/04;C22C32/00;C22C29/16;C22C29/00;H02K3/02;H02K15/04;F41B6/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请公开了一种降低铝粘附的电磁轨道推进电枢及其制备方法，属于电磁轨道技术领域。本申请电枢表面具有三元改性膜，其三元改性膜的组成成分为：TiN、MoS2和W，三元改性膜中各组成成分的质量比分别为：TiN：20％‑50％，MoS2：20％‑50％，其余为W；本申请电枢中，三元改性膜和铝合金电枢基层之间具有一层不锈钢材质的过渡层。经过实验论证，本申请电枢相较于未改性铝合金电枢，摩擦系数值约降低了75％，在模拟多场耦合环境下发射后，铜轨道表面的铝粘附量也能够显著降低。
主权项：1.一种降低铝粘附的电磁轨道推进电枢，其特征在于，所述电枢包括铝合金电枢基层，以及铝合金电枢基层上的三元改性膜，所述三元改性膜的组成成分为：TiN、MoS2和W。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种降低铝粘附的电磁轨道推进电枢及其制备方法
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