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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248668A
主分类号：H01L23/525
分类号：H01L23/525;H01L23/532
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种改善金属熔丝表面氧化物膜厚均匀性的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底上形成有顶层层间介质层，顶层层间介质层中形成有金属熔丝区，在顶层层间介质层上形成多个顶层金属层，其中一个顶层金属层完全覆盖金属熔丝区，而后形成钝化层，完全覆盖全部顶层金属层；步骤二，在衬底上形成具有金属熔丝区图案的光刻胶层；步骤三，刻蚀钝化层露出完全覆盖金属熔丝区的顶层金属层后，去除光刻胶层；步骤四，去除完全覆盖金属熔丝区的顶层金属层；步骤五，刻蚀露出的顶层层间介质层，形成金属熔丝的表面氧化物膜。在金属熔丝区上方构建一层遮挡金属，后续刻蚀熔丝区域时分步刻蚀，避免因芯片表面负载效应导致熔丝上残膜不均匀。
主权项：1.一种改善金属熔丝表面氧化物膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，所述衬底上形成有顶层层间介质层，所述顶层层间介质层中形成有金属熔丝区，在所述顶层层间介质层上形成多个顶层金属层，其中一个所述顶层金属层完全覆盖所述金属熔丝区，而后形成钝化层，完全覆盖全部所述顶层金属层；步骤二，在所述衬底上形成具有金属熔丝区图案的光刻胶层；步骤三，刻蚀所述钝化层露出所述完全覆盖金属熔丝区的顶层金属层后，去除所述光刻胶层；步骤四，去除所述完全覆盖金属熔丝区的顶层金属层；步骤五，刻蚀露出的所述顶层层间介质层，形成所述金属熔丝的表面氧化物膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善金属熔丝表面氧化物膜厚均匀性的方法
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