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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日：2020-10-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114729229B
主分类号：C09G1/02
分类号：C09G1/02;B24B37/04;H01L21/306;C09K3/14
优先权：["20191024 US 62/925,378"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2022.07.08#公开
摘要：本发明提供了用于浅沟槽隔离STI应用的化学机械平面化抛光CMP组合物。该CMP组合物含有二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒作为磨料，例如，二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒；化学添加剂，其选自分别在2、3或4位具有一个羧酸基团、一个羧酸盐基团或一个羧酸酯基团的含氮有机芳族或吡啶环分子，具有多个羟基官能团的非离子有机分子，及其组合；水溶性溶剂；和任选的杀生物剂和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12，优选3至10，和更优选4至9。
主权项：1.一种化学机械抛光组合物，其包含：0.01重量％至20重量％的二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒；0.0001重量％至2.0％重量％的具有一个羧酸基团、一个羧酸盐基团或一个羧酸酯基团的含氮吡啶环分子；0.0001重量％至2.0重量％的具有多个羟基官能团的非离子有机分子；水溶性溶剂；和任选地杀生物剂；和pH调节剂；其中所述具有一个羧酸基团、一个羧酸盐基团或一个羧酸酯基团的含氮吡啶环分子具有以下一般分子结构： 其中R可以是氢原子、正金属离子或烷基CnH2n+1，n为1至6；和该组合物的pH为3至10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 高氧化物去除速率浅沟隔离化学机械平面化组合物
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