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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日：2022-09-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251471A
主分类号：C09G1/02
分类号：C09G1/02;C09K3/14;H01L21/3105;H01L21/67;B24B37/04
优先权：["20211005 US 63/252,425"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了除抑制的多晶硅去除速率外赋予不同pH条件下高且可调的氧化物:SiN和氧化物:多晶硅去除选择性及低氧化物沟槽凹陷的浅沟槽隔离STI化学机械平面化CMP抛光组合物、方法和系统。抛光组合物包含磨料颗粒如煅烧二氧化铈和至少两种，优选至少三种化学添加剂。添加剂是1如D‑甘露糖、L‑甘露糖、核糖醇D‑核糖醇、木糖醇、内‑赤藓糖醇、D‑山梨糖醇、甘露糖醇、卫矛醇、艾杜糖醇、麦芽糖醇、果糖、脱水山梨糖醇、蔗糖、D‑核糖、肌醇和葡萄糖的化学物质；2聚丙烯酸或聚丙烯酸酯及其铵、钾或钠盐，和3具有不同分子量分布的聚乙二醇PEG，作为膜选择性调节和氧化物沟槽凹陷减少添加剂。
主权项：1.一种化学机械抛光组合物，其包含：磨料颗粒；至少两种，优选至少三种不同的化学添加剂，其选自1在其分子结构中含有至少两个或更多个、四个或更多个或者六个或更多个羟基官能团的有机聚合物；2含羧酸基团或其盐的有机聚合物；和3聚乙二醇PEG或含聚乙二醇PEG的聚合物；溶剂；任选地杀生物剂；和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12、3至10或4至9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于浅沟槽隔离的化学机械平面化抛光
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