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申请/专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日：2023-05-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263316A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08
优先权：["20230320 CN 2023102816691"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于衬底第一表面；源沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形；栅沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形，源沟槽结构和栅沟槽结构相互分离且交替排列；桥沟槽结构，位于外延层内部，桥沟槽结构跨接于相邻的两个栅沟槽结构之间，穿过相邻的两个栅沟槽结构之间的源沟槽结构，将源沟槽结构切割成若干个源沟槽弧段，源沟槽弧段的端部与桥沟槽结构具有间隔；第二掺杂类型的基区，设置于相邻的源沟槽结构和栅沟槽结构之间；第一掺杂类型的源区，设置于基区中；栅金属层，与栅沟槽结构连接；源金属层，与源沟槽结构和源区连接，源金属层和栅金属层相互分离。
主权项：1.一种沟槽型半导体功率器件版图，包括：源沟槽结构，所述源沟槽结构为圆环形；栅沟槽结构，所述栅沟槽结构为圆环形，所述源沟槽结构和所述栅沟槽结构相互分离且交替排列；桥沟槽结构，所述桥沟槽跨接于相邻的两个所述栅沟槽结构之间，穿过相邻的两个栅沟槽结构之间的源沟槽结构，将所述源沟槽结构切割成若干个源沟槽弧段，所述源沟槽弧段的端部与所述桥沟槽结构具有间隔，其中，所述桥沟槽结构还设置于最内圈的所述栅沟槽结构中，所述桥沟槽结构沿最内圈的所述栅沟槽结构的直径方向延伸且穿过圆心，其两端连接于所述最内圈的所述栅沟槽结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州芯迈半导体技术有限公司 一种沟槽型半导体功率器件
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