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申请/专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN117973083B
主分类号：G06F30/20
分类号：G06F30/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：一种西格玛沟槽的仿真方法及装置、可读存储介质、终端，所述方法包括：对具有初始沟槽的样品进行湿法刻蚀仿真，以在所述湿法刻蚀仿真后得到西格玛沟槽；其中，所述初始沟槽是在干法刻蚀处理和湿法清洗处理后得到的；确定所述初始沟槽的初始形貌影响因子；基于所述初始沟槽的干法刻蚀深度、基底表面预损失厚度、湿法清洗工艺导致的初始沟槽的底部厚度损失以及所述初始形貌影响因子，预测所述西格玛沟槽的侧壁尖角深度。本发明可以更准确地预测西格玛沟槽的侧壁尖角深度，以及提高后续其他参数的仿真结果准确性。
主权项：1.一种西格玛沟槽的仿真方法，其特征在于，包括：对具有初始沟槽的样品进行湿法刻蚀仿真，以在所述湿法刻蚀仿真后得到西格玛沟槽；其中，所述初始沟槽是在干法刻蚀处理和湿法清洗处理后得到的；确定所述初始沟槽的初始形貌影响因子；基于所述初始沟槽的干法刻蚀深度、基底表面预损失厚度、湿法清洗工艺导致的初始沟槽的底部厚度损失以及所述初始形貌影响因子，预测所述西格玛沟槽的侧壁尖角深度；其中，采用下述公式，确定所述西格玛沟槽的侧壁尖角深度：Sigma_Tip_Depth=12×Dry_Trench_Depth+Wet_Clean_Trench_Depth_Si_Loss-ΔDepth+Si_Loss；其中，Sigma_Tip_Depth表示所述西格玛沟槽的侧壁尖角深度，Dry_Trench_Depth表示所述初始沟槽的干法刻蚀深度，所述Wet_Clean_Trench_Depth_Si_Loss表示湿法清洗工艺导致的初始沟槽的底部厚度损失，ΔDepth表示初始形貌影响因子，Si_Loss表示基底表面预损失厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全芯智造技术有限公司 西格玛沟槽的仿真方法及装置、可读存储介质、终端
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