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申请/专利权人：飞锃半导体(上海)有限公司
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263130A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/04;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层包括相互垂直的x方向和y方向，所述碳化硅外延层中形成有分别沿x方向和y方向延伸的若干接地沟槽和若干栅极沟槽，所述栅极沟槽两侧的碳化硅外延层中形成有第一高掺杂区；第二高掺杂区，位于所述若干接地沟槽和若干栅极沟槽底部的碳化硅外延层中；第三高掺杂区，位于所述接地沟槽侧壁的碳化硅外延层中，所述第三高掺杂区连接所述第二高掺杂区。本申请的技术方案中，所述第三高掺杂区130由倾斜离子注入工艺形成，可以减少掩膜的使用。
主权项：1.一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层包括相互垂直的x方向和y方向，所述碳化硅外延层中形成有分别沿x方向和y方向延伸的若干接地沟槽和若干栅极沟槽，所述栅极沟槽两侧的碳化硅外延层中形成有第一高掺杂区；在所述若干接地沟槽和若干栅极沟槽底部的碳化硅外延层中形成第二高掺杂区；在所述接地沟槽侧壁的碳化硅外延层中形成第三高掺杂区，所述第三高掺杂区连接所述第二高掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 飞锃半导体(上海)有限公司 一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法
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