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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263287A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种多级沟槽型功率器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一外延片，外延片包括碳化硅外延层，碳化硅外延层的第一表面包括栅极区域以及位于栅极区域两侧的源极区域；基于栅极沟槽与源极沟槽的预设宽度条件，通过一次光刻工艺，在栅极区域中形成栅极沟槽，且在源极区域中形成包括至少两级沟槽的源极沟槽；于栅极沟槽的底部形成第一耐压掩蔽结构，以及于源极沟槽的底部和两侧形成第二耐压掩蔽结构；其中，第二耐压掩蔽结构为包括至少三级台阶的多级台阶结构；在栅极沟槽中形成栅极结构；在源极沟槽的顶部形成源极。本发明提供的技术方案，在改善了沟槽型功率器件中栅极氧化层易被击穿问题的同时，简化了功率器件的制备过程。
主权项：1.一种多级沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供外延片，所述外延片包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括栅极区域以及位于所述栅极区域两侧的源极区域；基于栅极沟槽与源极沟槽的预设宽度条件，通过一次光刻工艺，在所述栅极区域中形成栅极沟槽，且在所述源极区域中形成源极沟槽；其中，所述源极沟槽为多级沟槽；于所述栅极沟槽的底部形成第一耐压掩蔽结构，以及于所述源极沟槽的底部和两侧形成第二耐压掩蔽结构；其中，所述第二耐压掩蔽结构为多级台阶结构；在所述栅极沟槽中形成栅极结构；在所述源极沟槽的顶部形成源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体有限公司 一种多级沟槽型功率器件及其制备方法
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