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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231238A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/762;H01L27/06;H01L21/8256
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种浅沟槽侧墙的形成方法，由于浅沟槽内上部分的硬掩模层的侧壁倾斜角度与下部分硅槽的侧壁倾斜角度不同而形成转折点，通过形成厚度至少大于第一宽度的侧墙材料层改善转折点处的浅沟槽侧墙形貌弯曲或者转折的问题，其中，第一宽度为转折点与浅沟槽的底角顶点的水平距离，进而通过刻蚀工艺去除硬掩模层顶部和浅沟槽底部的侧墙材料层，并去除所述浅沟槽侧壁的部分侧墙材料层，以形成线性的浅沟槽侧墙，从而解决了转折点处的浅沟槽侧墙形貌弯曲或者转折的问题。
主权项：1.一种浅沟槽侧墙的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硬掩模层和贯穿所述硬掩模层并延伸至所述半导体衬底内的浅沟槽，所述浅沟槽内上部分的所述硬掩模层的侧壁倾斜角度与下部分硅槽的侧壁倾斜角度不同而形成转折点；形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述硬掩模层的顶部、所述浅沟槽的侧壁和底壁，所述侧墙材料层的厚度至少大于第一宽度，所述第一宽度为所述转折点与所述浅沟槽的底角顶点的水平距离；执行刻蚀工艺，去除所述硬掩模层顶部和所述浅沟槽底部的所述侧墙材料层并去除所述浅沟槽侧壁的部分侧墙材料层，以形成线性的浅沟槽侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 浅沟槽侧墙及形成方法
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