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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日：2024-05-14
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231456A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片，由电荷存储层与第二P型重掺杂层组成凹形结构，并在凹形结构内形成栅极介质层，通过在栅极介质层内设置与源极层接触的L形结构的分裂栅，并在分裂栅的水平部上设置互不接触的栅极，使得L形结构的分裂栅在器件正常工作时会在电荷存储层一侧感应出空穴，拓宽栅极沟槽底部的耗尽区，使此处电场降低，同时L型分裂栅极实现了栅极和源极解耦，提升了器件的高频性能和短路能力。
主权项：1.一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，所述碳化硅沟槽MOS器件包括：N型衬底层；N型漂移层，形成于所述N型衬底层的正面；漏极层，形成于所述N型衬底层的背面；电荷存储层，形成于所述N型漂移层上；第一P型重掺杂层、第二P型重掺杂层，分别形成于所述电荷存储层的两侧；且所述第二P型重掺杂层与所述电荷存储层组成凹形结构；栅极介质层，形成于所述凹形结构内；栅极、分裂栅，分别形成于所述栅极介质层内，且互不接触；其中，所述分裂栅为L形结构，所述栅极位于所述分裂栅的水平部上；P型阱区，形成于所述电荷存储层上，且与所述第一P型重掺杂层接触；N型源区，形成于所述P型阱区上，且与所述第一P型重掺杂层接触；源极层，形成于所述N型源区、所述第一P型重掺杂层、所述栅极介质层以及所述第二P型重掺杂层上，且通过所述栅极介质层上的通孔与所述分裂栅接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种碳化硅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片
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