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申请/专利权人：大连理工大学
申请日：2021-01-30
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112967944B
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.15#公开
摘要：本发明属于SiC半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiCMOS器件的陷阱量测试和分离方法，其中，测试方法包括以下步骤：1SiCMOSCAPMOSFET器件的测试准备工作，2固有氧化物陷阱量测试，3采用急速冷却法测试SiCMOSCAPMOSFET中的激活氧化物陷阱量。分离方法包括以下步骤：1固有氧化物陷阱量与界面陷阱量的分离，2激活氧化物陷阱量与激活界面陷阱量的分离，3SiCMOS器件的开启电压稳定性评价。本发明在通过在低温测试或急速冷却等方法，将陷阱的解陷速率大大降低，从而捕捉到激活陷阱的电学信号，进而提高计算评估及分离陷阱量的准确性。
主权项：1.一种SiCMOS器件陷阱量的测试方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、SiCMOSCAPMOSFET器件的测试准备工作，将N2气通过通气阀通入探针台中，打开探针台的腔室，随后在N2气氛保护下将SiCMOSCAPMOSFET器件放入探针台内的样品托上，关闭探针台腔室和通气阀，利用真空泵将腔室内真空度抽至10-2～10-4Torr；步骤2、固有氧化物陷阱量测试：利用液氮制冷和温度控制仪，将样品托的温度调节为80～270K，在SiCMOSCAPMOSFET的栅极施加±1～10MVcm的电场，时间为60～2000s，结束后立即进行C–V曲线测试，测得施加正负电场后的平带电压Vfb和中带电压Vmg，从而计算出施加正负电场后的平带电压差和中带电压差；步骤3、采用急速冷却法测试SiCMOSCAPMOSFET中的激活氧化物陷阱量，利用液氮制冷和温度控制仪，先将样品托升温至300～575K，在SiCMOSCAPMOSFET的栅极施加+1～10MVcm的电场，时间为600～2000s，并在持续时间内急速降温至80～270K，结束后立即进行C–V曲线测试，测得施加正电场后的Vfb和Vmg，随后在栅极施加大小相等极性相反的电场，时间和测试流程与施加正电场时相同，通过相应的C-V曲线，测得施加负电场后的Vfb和Vmg，根据这两条C–V曲线上的Vfb和Vmg计算出陷阱激活后的平带电压差和中带电压差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法
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