申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-03-18

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN113139355B

主分类号：G06F30/30

分类号：G06F30/30;G06F30/20;G06F115/10;G06F119/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积；第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；第二函数为和漏极电流相关的函数；第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs；jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数；jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs分别具有温度相关函数项，各参数的温度相关函数项都展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，常数项和各次项系数都为拟合参数。本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。本发明能实现对不同温度下的器件拟合，提高模型精度。

主权项：1.一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型系统，其特征在于：MOSFET陷阱辅助隧穿模型中陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积；所述第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；所述第二函数为和漏极电流相关的函数；所述第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs；jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数；jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs分别具有温度相关函数项；jtsswgs_t为jtsswgs的温度相关函数项，jtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，n为最高次数，从一次项到n次项的次数依次增加，jtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数；njtsswgs_t为njtsswgs的温度相关函数项，njtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，从一次项到n次项的次数依次增加，njtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数；vtsswgs_t为vtsswgs的温度相关函数项，vtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，从一次项到n次项的次数依次增加，vtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数；所述第一函数的公式为： 其中，Fjtsswgs,njtsswgs,vtsswgs表示所述第一函数，A为固定参数；Vbs表示衬底和源极之间的电压，Vth表示阈值电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法

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