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申请/专利权人：湖北工业大学
申请日：2021-11-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114171636B
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0352;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开
摘要：本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：首先，将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；其次，将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；最后，将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖，避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时，该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构，能够更好的发挥隧穿效应，其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构，减少载流子复合损失，进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。
主权项：1.一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：S1、将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；S2、将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；S3、将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层；步骤S1中，溅射的功率为10～80W，溅射的气压为1～5Pa，溅射的时间为0.5～5s；步骤S2中，络合剂选自氨水、单乙醇胺、三乙醇胺中的一种；溶液I中Zn源的摩尔浓度为0.01～0.1molL、S源的摩尔浓度为0.01～0.1molL，络合剂与溶液I的体积比为1～4:50；步骤S3中，惰性气氛的气体为氩气或氮气，退火处理的温度为50～500℃，退火处理的升温速率为1～50℃min，退火处理的时间为10～30min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北工业大学 一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法
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