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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日：2024-02-03
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156307A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/66;H01L29/45;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明涉及一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构及其制备方法，结构包括衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极；衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层依次层叠，且P型掺杂层和N型掺杂层中开设有栅凹槽；源电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的一侧；漏电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的另一侧；栅介质层位于栅凹槽的表面和N型掺杂层的表面；栅电极位于栅凹槽中的栅介质层上且位于N型掺杂层上的部分栅介质层上。该结构通过在P型掺杂层上设置N型掺杂层，提高了P型氮化镓沟道晶体管的电流和跨导。
主权项：1.一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构，其特征在于，包括：衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中，所述衬底、所述成核层、所述缓冲层、所述N型沟道层、所述势垒层、所述P型沟道层、所述P型掺杂层、所述N型掺杂层依次层叠，且所述P型掺杂层和所述N型掺杂层中开设有底部位于所述P型沟道层表面的栅凹槽；所述P型掺杂层的掺杂浓度大于所述P型沟道层的掺杂浓度；所述源电极位于所述N型掺杂层表面且位于所述栅凹槽的一侧；所述漏电极位于所述N型掺杂层表面且位于所述栅凹槽的另一侧；所述栅介质层位于所述栅凹槽的表面和所述N型掺杂层的表面；所述栅电极位于所述栅凹槽中的栅介质层上且位于所述N型掺杂层上的部分栅介质层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构及其制备方法
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