龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及一种环形沟道薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的晶体管器件之间的均一性不理想的问题。该环形沟道薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成图案化的栅电极，所述栅电极的图案包括圆环形和与所述圆环形的部分圆弧临接的方形；在所述栅电极和所述衬底上依次生长第一栅介质、第二栅介质、有源层材料；对所述有源层材料进行图案化处理得到有源层，所述有源层的图案为圆环形；对所述方形的栅电极上方的所述第一栅介质和所述第二栅介质进行刻蚀，露出所述方形的栅电极的部分区域；在所述有源层和所述第二栅介质上生长源漏电极材料并对所述源漏电极材料进行图案化处理形成源漏电极之间的环形沟道；以及在所述源漏电极上生长封装材料并对所述封装材料进行刻蚀，露出栅电极和源漏电极。
主权项：1.一种环形沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上形成图案化的栅电极，所述栅电极的图案包括圆环形和与所述圆环形的部分圆弧临接的方形；在所述栅电极和所述衬底上依次生长第一栅介质、第二栅介质、有源层材料；对所述有源层材料进行图案化处理得到有源层，所述有源层的图案为圆环形；对所述方形的栅电极上方的所述第一栅介质和所述第二栅介质进行刻蚀，露出所述方形的栅电极的部分区域；在所述有源层和所述第二栅介质上生长源漏电极材料并对所述源漏电极材料进行图案化处理形成源、漏电极之间的环形沟道；以及在所述源漏电极上生长封装材料并对所述封装材料进行刻蚀，露出栅电极和源、漏电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种环形沟道薄膜晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号