申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2021-11-08

公开（公告）日：2024-05-28

公开（公告）号：CN114152854B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.28#授权;2022.03.25#实质审查的生效;2022.03.08#公开

摘要：一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法属于半导体器件检测领域。所述方法通过检测陷阱俘获载流子的情况，得到器件的电流值随时间变化，经过一系列的数学处理后，最终实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。首先，在柔性薄膜晶体管开态情况下，对器件不同电极上施加电压，对器件陷阱俘获载流子的情况进行检测，得到IDS‑time的瞬态电流曲线；在器件处于关态情况下，检测陷阱俘获载流子的情况；将提取得到的陷阱时间常数谱，结合提取出陷阱的激活能，最终确定柔性薄膜晶体管的陷阱位置。本发明所述的方法设备简单、操作方便，在无需增加额外设备即可实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。

主权项：1.一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法，所用装置包括被测试的柔性薄膜晶体管样品3、安捷伦B1500A1、探针台2；所述探针台2直接对所述柔性薄膜晶体管样品3施加电压，所述安捷伦B1500A1用于给所述被测的柔性薄膜晶体管样品3不同电压，测出瞬态电流值；其特征在于，所述无损电学检测的方法包括以下步骤：步骤一：将所述柔性薄膜晶体管样品3放置于所述探针台2上，利用所述安捷伦B1500A1给柔性薄膜晶体管样品3施加电压；步骤二：设置所述安捷伦B1500A1相同的测试电压条件，不同的测试条件，通过所述的探针台2对柔性薄膜晶体管样品3施加电压，测出柔性薄膜晶体管内部缺陷俘获载流子的瞬态电流曲线；步骤三：所述安捷伦B1500A1改变电压，施加不同的测试条件，即施加相同的栅源电压，改变栅漏电压；施加相同的栅漏电压，改变栅漏电压；重复步骤二中不同测试电压，测出开态和关态电压下所述柔性薄膜晶体管样品3的瞬态电流曲线；步骤四：所述安捷伦B1500A1按照温度变化步长，施加不同的温度，施加相同的栅源和栅漏检测电压，重复步骤二中不同测试电压，测出开态和关态电压下所述柔性薄膜晶体管样品1的瞬态电流曲线；步骤五：将步骤三、四中得到的瞬态电流数据的时间值取对数，利用多项式拟合的方法对该数据进行平滑处理，借助MatrixLaboratoryMatlab软件中的曲线拟合模块，实现瞬态电流的多项式拟合，得到不同测试条件下拟合出的瞬态电流曲线；步骤六：通过dIxdx处理步骤五中的拟合出的瞬态电流曲线，提取出陷阱的时间常数谱，通过数学手段提取出相应时间常数对应陷阱的激活能，在结合开态条件下的时间常数谱中峰的情况，大概确定器件中陷阱的位置，再结合关态检测条件下的时间常数谱中峰的位置，最终确定柔性薄膜晶体管陷阱的位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法

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