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申请/专利权人：武汉罗博半导体科技有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117994250B
主分类号：G06T7/00
分类号：G06T7/00;G06T7/11;G06V10/75;G01N21/88;G01N21/95
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明涉及人工智能，公开了一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及存储介质，该方法通过获取待检测晶圆视野图，分割待检测晶圆视野图中每一个晶粒区域，对于过大的晶粒基于分割提高定位精确性；在标准模板图像中查找与晶粒区域对应的目标样品部分区域，并根据目标样品部分区域从预设对应关系中选取相应的模板，预先制作好模版，从预设对应关系中查找模版进行对比，提高检测效率；计算每一个晶粒区域与相应的模板之间的差值图像，根据设定阈值在差值图像上找到疑似缺陷区域，通过疑似缺陷区域和周围区域的特征对比，判断是否属于缺陷，通过差值图像确定疑似缺陷区域，再通过与其周围区域的特征对比识别缺陷，两个步骤结合，提高缺陷识别的准确性。
主权项：1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述晶圆缺陷检测方法包括以下步骤：获取待检测晶圆视野图，分割所述待检测晶圆视野图中每一个晶粒区域；获取晶圆的每一帧视野图；计算所述视野图中包含的每个晶粒部分；根据每个所述晶粒部分，在标准模板图像上查找对应的每一样品部分区域；判断当前的样品部分区域长度或宽度是否大于第一设置值，所述第一设置值小于一个晶粒的大小；若当前的样品部分区域长度或宽度大于或等于第一设置值，则根据所述第一设置值将当前的样品部分区域分成不同区域；判断划分后各区域是否和已有的模板区域重叠；在标准模板图像中查找与所述晶粒区域对应的目标样品部分区域，并根据目标样品部分区域从预设对应关系中选取相应的模板；若划分后各区域和已有的模板区域重叠，则将当前的样品部分区域用所述模板区域代替；计算每一个所述晶粒区域与相应的模板之间的差值图像，根据设定阈值在所述差值图像上找到疑似缺陷区域；通过所述疑似缺陷区域和周围区域的特征对比，判断是否属于缺陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉罗博半导体科技有限公司 晶圆缺陷检测方法、装置、设备及存储介质
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