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申请/专利权人：先进微晶圆私人有限公司
申请日：2021-11-11
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235083A
主分类号：G02F1/025
分类号：G02F1/025;G02F1/21;G02F1/225
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种具有行波电极的III‑VSi混合MOS光调制器,用于高效和高带宽的光调制。配备有行波电极的III‑VSi混合MOS光调制器成为行波调制器。行波调制器包括III‑V化合物半导体层、硅层以及在III‑V化合物半导体层和硅层之间的氧化物层。行波调制器包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层和半导体层。通过调整每个第二金属层的电极迹线宽度和相邻的第二金属层之间的间距，以实现阻抗和速度匹配。设计一种行波电极，用于在正向和反向偏压下与III‑VSi混合MOS光调制器集成。
主权项：1.一种具有行波电极的III-VSi混合MOS光调制器，包括：第一金属层和第二金属层，用作行波电极；III-V化合物半导体层和硅层；所述III-V化合物半导体层和所述硅层之间的氧化物层，其中，所述氧化物层厚度被设计为允许所述调制器的阻抗和速度匹配。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先进微晶圆私人有限公司 具有行波电极的III-V/Si混合MOS光调制器
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