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申请/专利权人：AMCAD工程公司
申请日：2022-08-30
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235050A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26
优先权：["20211014 FR FR2110920"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及一种在脉冲模式下表征III‑V族半导体晶体管2和相关试验台1的方法，其中，RF前脉冲施加到晶体管2的栅极2a，功率电平NRF根据第一预定变化规律定义，以固定晶体管2中陷阱的电荷状态，然后将第一直流脉冲和第二直流脉冲分别施加到晶体管2的栅极2a和漏极2b，第一直流脉冲和第二直流脉冲分别具有根据第二预定变化规律定义的第一直流电平N1和第二直流电平N2。
主权项：1.一种用于在脉冲模式下表征III-V族半导体晶体管2的方法，所述晶体管2包括栅极2a、漏极2b和源极2c，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a定义S1；S1’所述晶体管2的偏置点，其对应于偏置栅源电压Vgs0和偏置漏源电压Vds0；b定义S3；S1’施加在晶体管2漏极2b的负载阻抗8；c定义一个周期T，并且对于每个周期T：-c1向晶体管2的栅极2a施加射频RF前脉冲，以固定晶体管中陷阱的电荷状态，所述RF前脉冲具有预定义的频率f0，预定义的前脉冲持续时间TRF和功率电平NRF，其中功率电平NRF根据第一预定变化规律定义；-c2在RF前脉冲9之后，将第一直流脉冲10施加到晶体管2的栅极2a，将第二直流脉冲11施加到晶体管2的漏极2b，第一直流脉冲10具有第一持续时间T1，第二直流脉冲11具有第二持续时间T2，第一和第二持续时间为T1，T2至少部分同步，第一直流脉冲10和第二直流脉冲11分别具有根据第二预定变化规律定义的第一直流电平N1和第二直流电平N2；以及c3在同步施加第一和第二直流脉冲10，11期间的测量持续时间TM期间，测量S6在晶体管2漏极2b中流动的电流Id；其中，对于每个周期T，在第一变化规律中，RF前脉冲9的功率电平NRF取决于随后在同一周期T内施加的第一和第二直流脉冲10，11的第一和第二直流电平N1和N2；其中，对于每个周期T，在第二变化规律中，第一直流电平N1等于Vgs0加上根据当前周期T的第二变化规律定义的第一值V1，第二直流电平N2等于Vds0加上根据当前周期T的第二变化规律定义的第二值V2，第一值V1和第二值V2是实数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AMCAD工程公司 III-V族半导体晶体管和相关试验台在脉冲模式下的表征方法
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