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申请/专利权人：重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231497A
主分类号：H01L31/0336
分类号：H01L31/0336;H01L31/101;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及纳米材料领域，特别涉及一种Si2HWSe2异质结及其制备方法以及一种光电探测器，一种Si2HWSe2异质结，在二维Si2H材料上堆叠单层的二维WSe2材料形成异质结，由由单层二维WSe2材料的4×4×1个晶胞和单层二维Si2H材料的个晶胞构成超胞在超胞中，单层二维WSe2材料的三个W原子与单层二维Si2H材料的三个Si对齐得到第一堆叠结构，或者单层二维WSe2材料的三个Se原子与单层二维Si2H材料的三个Si对齐得到第四堆叠结构。
主权项：1.一种Si2HWSe2异质结，其特征在于，在二维Si2H材料上堆叠单层的二维WSe2材料形成异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种Si2H/WSe2异质结及其制备方法以及一种光电探测器
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皖公网安备 34010402703815号