申请/专利权人:重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日:2024-03-22
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN118231520A
主分类号:H01L31/18
分类号:H01L31/18;H01L31/109;H01L31/032;C23C28/00
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.21#公开
摘要:本发明提供一种MoS2ErWS2Er异质结光探测器的一步法制备方法,包括:在SiO2衬底上通过CVD生长掺入稀土材料的MoS2ErWS2Er异质结层;根据设计好的电极图案对MoS2ErWS2Er异质结层进行光刻;对光刻后的MoS2ErWS2Er异质结层进行磁控溅射,用于在MoS2ErWS2Er异质结层上生长金属电极;去除光刻胶,得到MoS2ErWS2Er异质结光探测器,本发明通过CVD直接生长异质结和掺入稀土元素Er离子,有助于器件光电效率和载流子浓度的大幅度提升。
主权项:1.一种MoS2ErWS2Er异质结光探测器的一步法制备方法,其特征在于,包括:S1:在SiO2衬底上通过CVD生长掺入稀土材料的MoS2ErWS2Er异质结层;S2:根据设计好的电极图案对MoS2ErWS2Er异质结层进行光刻;S3:对光刻后的MoS2ErWS2Er异质结层进行磁控溅射,用于在MoS2ErWS2Er异质结层上生长金属电极;S4:去除光刻胶,得到MoS2ErWS2Er异质结光探测器。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种MoS2(Er)/WS2(Er)异质结光探测器的一步法制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。