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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-05-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248762A
主分类号：H01L31/0747
分类号：H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种异质结电池及其制备方法，包括衬底；位于所述衬底背光面的背面掺杂非晶硅层；位于所述的背面掺杂非晶硅层与所述衬底之间的背面钝化层，其中，所述背面钝化层包括掺氧基材，且所述背面钝化层具有与所述背面掺杂非晶硅层的接触部和非接触部，所述接触部的掺氧浓度小于所述非接触部的至少部分区域的掺氧浓度。这样，可以使得背面钝化层的光学带隙更大，且能够避免价带偏移量较大，降低对于光的吸收，提高短路电流密度，并且能够进一步提高钝化效果，同时，可以降低对空穴的传输和收集的影响，使得异质结电池的性能得到进一步提升。
主权项：1.一种异质结电池，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底背光面的背面掺杂非晶硅层；位于所述的背面掺杂非晶硅层与所述衬底之间的背面钝化层，其中，所述背面钝化层包括掺氧基材，且所述背面钝化层具有与所述背面掺杂非晶硅层的接触部和非接触部，所述接触部的掺氧浓度小于所述非接触部的至少部分区域的掺氧浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 异质结电池及其制备方法
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