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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-05-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248761A
主分类号：H01L31/0747
分类号：H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种异质结电池及其制备方法，包括衬底；位于所述衬底第一面依次设置的第一掺杂非晶硅层和第一减反层；贯穿所述第一掺杂非晶硅层和所述第一减反层的多个间隔的开口；位于所述开口内的第一钝化层；位于所述第一钝化层上且远离所述衬底一侧的第一电极；位于所述衬底第二面依次设置的第二钝化层、第二掺杂非晶硅层、透明导电层和第二电极。这样，透明导电层只设置在衬底的第二面，减少了铟的使用，且能够保证较小的接触电阻和良好的导电性能，同时，减少了对光线的寄生吸收，提高了光生电流的密度，且保证了第一电极与衬底之间的钝化效果。
主权项：1.一种异质结电池，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底第一面依次设置的第一掺杂非晶硅层和第一减反层；贯穿所述第一掺杂非晶硅层和所述第一减反层的多个间隔的开口；位于所述开口内的第一钝化层；位于所述第一钝化层上且远离所述衬底一侧的第一电极；位于所述衬底第二面依次设置的第二钝化层、第二掺杂非晶硅层、透明导电层和第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 异质结电池及其制备方法
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