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申请/专利权人：三菱电机株式会社
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248727A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06
优先权：["20221222 JP 2022-205332"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：涉及半导体装置、半导体电路及半导体装置的控制方法。目的在于提供能够降低半导体装置的接通电阻的技术。半导体装置具有：第1导电部，其隔着第1绝缘膜而设置于第2半导体层的一部分之上；第2导电部，其隔着第2绝缘膜而设置于第3半导体层的一部分之上；第1主电极；以及第2主电极。在向第1导电部及第2导电部的一者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过双极动作而导通，在向第1导电部及第2导电部这两者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过单极动作而导通。
主权项：1.一种半导体装置，其具有：基底层，其材质是第1导电型的半导体或绝缘体；第2导电型的第1半导体层，其设置于所述基底层之上；第1导电型的第2半导体层及第1导电型的第3半导体层，它们在所述第1半导体层的上部彼此分离地设置；第2导电型的第4半导体层，其设置于所述第2半导体层的上部，在该第4半导体层与所述第1半导体层之间夹着所述第2半导体层的一部分；第2导电型的第5半导体层，其设置于所述第3半导体层的上部，在该第5半导体层与所述第1半导体层之间夹着所述第3半导体层的一部分；绝缘层，其设置于所述第2半导体层与所述第3半导体层之间的所述第1半导体层的上部；第1导电部，其隔着第1绝缘膜而设置于所述第2半导体层的所述一部分之上；第2导电部，其隔着第2绝缘膜而设置于所述第3半导体层的所述一部分之上，第1主电极，其与所述第2半导体层及所述第4半导体层电连接；以及第2主电极，其与所述第3半导体层及所述第5半导体层电连接，在向所述第1导电部及所述第2导电部的一者输入了接通控制信号的情况下，所述第1主电极与所述第2主电极之间通过双极动作而导通，在向所述第1导电部及所述第2导电部这两者输入了所述接通控制信号的情况下，所述第1主电极与所述第2主电极之间通过单极动作而导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体电路及半导体装置的控制方法
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