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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种深沟槽的刻蚀方法，提供衬底，衬底上的芯片区形成集成电路器件；在衬底上形成互连结构；在互连结构上依次形成层间介质层和刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开芯片区外侧上方的光刻胶层使得部分刻蚀阻挡层裸露，打开裸露的刻蚀阻挡层以定义出深沟槽的形成区域；利用多个刻蚀周期的刻蚀工艺形成由多个浅沟槽构成，且为目标深度的深沟槽，一次刻蚀周期包括：利用第一刻蚀气体形成的等离子体形成浅沟槽，利用第二刻蚀气体形成的等离子体在沟槽上形成保护层。本发明能够克服深沟槽刻蚀过程中光刻胶膜厚不足的问题，提高长时间刻蚀的工艺稳定性。
主权项：1.一种深沟槽的刻蚀方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上的芯片区形成有集成电路器件；在所述衬底上形成互连结构；步骤二、在所述互连结构上依次形成层间介质层和刻蚀阻挡层，在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开所述芯片区外侧上方的所述光刻胶层使得部分所述刻蚀阻挡层裸露，打开裸露的所述刻蚀阻挡层以定义出芯片保护环中深沟槽的形成区域；步骤三、利用多个刻蚀周期的刻蚀工艺形成由多个浅沟槽构成，且为目标深度的深沟槽，一次所述刻蚀周期包括：利用第一刻蚀气体形成的等离子体形成浅沟槽，利用第二刻蚀气体形成的等离子体在所述沟槽上形成保护层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 深沟槽的刻蚀方法
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