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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118236624A
主分类号：A61N1/36
分类号：A61N1/36;H02N2/18;A61N1/378
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及植入式生物医学器件领域，其公开了一种基于超声驱动的无源植入式双相脑刺激器件，其包括：双压电层结构，用于由外部双频超声探头产生高频和低频信号驱动产生响应输出交流电信号；频率调控层为对超声波的不同频率进行选择性通过的声学超材料；双相整流电路，将高频压电层和低频压电层的交流信号分别转为直流信号，通过差分输出产生双相刺激脉冲，双相整流电路后端连接刺激电极，对脑部特定位置产生双相电脉冲。本发明采用声学超材料选择性滤波；双压电层结构分别对双频超声产生响应，刺激电极产生双相脉冲输出，减轻在连续刺激下电极上的电荷积累带来的组织损伤和电解等危害。
主权项：1.一种基于超声驱动的无源植入式双相脑刺激器件，其包括：双压电层结构，用于由外部双频超声探头产生高频和低频信号驱动产生响应输出交流电信号；所述双压电层结构包括高频压电层11和低频压电层12；频率调控层2为选择性对低频超声信号具有高透射率的衍射声栅型单层声学超材料21，所述声学超材料21为带有周期性圆柱形槽结构的铜板，设于高频压电层11和低频压电层12之间；双相整流电路3连接于所述高频压电层11和低频压电层12的输出电极，将所述高频压电层11和低频压电层12的交流信号分别转为直流信号，通过差分输出产生双相刺激脉冲，所述双相整流电路3后端连接刺激电极5，对脑部特定位置产生双相电脉冲；双相整流电路3位于设于高频压电层11、频率调控层2、低频压电层12的一侧，所述双压电层结构、所述频率调控层2和所述双相整流电路3外由封装层封装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于超声驱动的无源植入式双相脑刺激器件
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